Наукова періодика України - НБУВ Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Простий
пошук

Розширений
пошук

Покажчики

Професійний
пошук

Рубрикатор
НБУВ

Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Наукова періодика України

Тематичний навігатор

Авторитетний файл імен осіб

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Повнотекстовий пошук

Знайдено в інших БД:

Книжкові видання та компакт-диски (17)

Автореферати дисертацій (1)

Реферативна база даних (31)

Список видань за алфавітом назв:

A B C D E F G H I J L M N O P R S T U V W

А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Авторський покажчик Покажчик назв публікацій

Пошуковий запит: (<.>A=Брус В$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 14 Представлено документи з 1 до 14
1.	Мостовий А. І. Вплив домішки CR2O3 на ширину забороненої зони тонких плівок TIO2 [Електронний ресурс] / А. І. Мостовий, В. В. Брус, П. Д. Мар’янчук // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2013. - № 6(12). - С. 15-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2013_6(12)__4 Попередній перегляд: Завантажити - 184.03 Kb Зміст випуску Цитування
2.	Брус В. В. Виготовлення та властивості p-n-переходів на основі Cd1-x Znx Te [Електронний ресурс] / В. В. Брус, М. І. Ілащук, Б. М. Грицюк, О. А. Парфенюк, П. Д. Мар’янчук // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2013. - № 6(12). - С. 107-109. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2013_6(12)__26 Попередній перегляд: Завантажити - 249.057 Kb Зміст випуску Цитування
3.	Солован М. М. Електричні властивості світловипромінюючої гетероструктури n-TiN/n-GaP [Електронний ресурс] / М. М. Солован, В. В. Брус, П. Д. Мар’янчук, Е. В. Майструк, І. Г. Орлецький // Світлотехніка та електроенергетика. - 2014. - № 1. - С. 4-10. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/svitteh_2014_1_3 Попередній перегляд: Завантажити - 1.46 Mb Зміст випуску Цитування
4.	Солован М. М. Вплив домішки Fe та термічної обробки на оптичні властивості тонких плівок ТіО2 [Електронний ресурс] / М. М. Солован, П. Д. Мар’янчук, В. В. Брус. // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2012. - № 1(5). - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2012_1(5)__11 Одержано тонкі плівки (ТП) TiO2:Fe за допомогою методу електронно-променевого випаровування. Досліджено вплив легування та термічної обробки на оптичні властивості ТП. Попередній перегляд: Завантажити - 596.802 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
5.	Брус В. Х. Стан та перспективи розвитку агропромислового комплексу регіону [Електронний ресурс] / В. Х. Брус // Науковий вісник Львівського національного університету ветеринарної медицини та біотехнологій ім. Ґжицького. - 2011. - Т. 13, № 1(2). - С. 21-25. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/nvlnu_2011_13_1(2)__6 Попередній перегляд: Завантажити - 1.175 Mb Зміст випуску Цитування
6.	Мостовий А. І. Фізичні властивості тонких плівок ТiО2 і TiO2:Mn [Електронний ресурс] / А. І. Мостовий, В. В. Брус, П. Д. Мар’янчук, О. А. Парфенюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 4. - С. 760-765. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_4_14 За допомогою конвертного методу визначено оптичні константи тонких плівок TiO₂ і TiO₂:Mn, виготовлених із використанням методу електронно-променевого випаровування у вакуумі. Досліджено вплив термічної обробки на оптичні та електричні властивості тонких плівок. Попередній перегляд: Завантажити - 532.238 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
7.	Брус В. В. Визначення величини послідовного опору з вольт-фарадних характеристик [Електронний ресурс] / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, П. Д. Мар’янчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 2. - С. 492-499. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_2_38 Проаналізовано вплив послідовного опору структур із потенціальним бар'єром на їх ємнісні характеристики. Запропоновано метод визначення величини послідовного опору з вольтфарадних характеристик, виміряних у різних частот збуджувального сигналу. Попередній перегляд: Завантажити - 221.217 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
8.	Брус В. В. Електричні властивості гетеропереходів ZnO/InSe та ZnO/GaSe [Електронний ресурс] / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, В. В. Хом’як, В. М. Камінський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 3. - С. 798-801. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_3_43 Досліджено основні електричні властивості гетеропереходів n-ZnO/n-InSe та n-ZnO/p-GaSe, виготовлених нанесенням тонкої плівки оксиду цинку за допомогою методу спрей-піролізу на свіжосколоті поверхні монокристалічних підкладок шаруватих напівпровідників InSe та GaSe. Встановлено домінуючі механізми струмопереносу у досліджуваних гетеропереходах у випадку зворотного зміщення. Попередній перегляд: Завантажити - 273.175 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
9.	Солован М. М. Виготовлення та електричні властивості анізотипних гетеродіодів n-TiO2:Fe/p-CdTe [Електронний ресурс] / М. М. Солован, В. В. Брус, П. Д. Мар’янчук, А. М. Кафанов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 4. - С. 1027-1031. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_4_34 Виготовлено гетероструктури n-TiO2:Fe/p-CdTe за допомогою методу електронно-променевого випаровування. Виміряно вольтамперні характеристики гетероструктури за різних температур. Досліджено температурні залежності висоти потенціального бар'єра та послідовного опору гетеропереходу n-TiO2:Fe/p-CdTe. Визначено домінуючі механізми струмопереносу через гетеропереходи у випадку прямого та зворотного зміщень. Попередній перегляд: Завантажити - 239.166 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
10.	Брус В. В. Електричні та фотоелектричні властивості напівпровідникової гетероструктури n-TiO2/p-GaSe [Електронний ресурс] / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, П. Д. Мар’янчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 4. - С. 1047-1051. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_4_38 Досліджено електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури n-TiO2/p-GaSe, виготовленої нанесенням тонкої плівки діоксиду титану за допомогою методу реактивного магнетронного випаровування за постійної напруги на свіжосколоту поверхню монокристалічної підкладки шаруватого напівпровідника GaSe. Встановлено домінуючі механізми струмопереносу через досліджуваний гетероперехід за прямого та зворотного зміщень. Попередній перегляд: Завантажити - 165.569 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
11.	Мостовой А. И. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe [Електронний ресурс] / А. И. Мостовой, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, К. С. Ульяницкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2013. - № 1. - С. 45-48. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2013_1_9 Исследованы электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО₂:Mn/p-CdTe, изготовленных методом электронно-лучевого испарения в вакууме пленки ТiО₂:Mn на монокристаллические подложки CdTe. Установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях гетероперехода.Досліджено електричні властивості анізотіпних гетеропереходів n-ТiО₂:Mn/p-CdTe, виготовлених методом електронно-променевого випаровування у вакуумі плівки ТiО₂:Mn на монокристалічні підкладки CdTe. Встановлено домінуючі механізми токоперенесення за прямих і зворотних зміщень гетеропереходу.The authors have investigated electronic properties of n-TiO₂:Mn/p-CdTe anisotype heterojunctions, produced by the method of electron-beam evaporation of TiO₂:Mn film on single-crystal CdTe substrates in vacuum. The dominant mechanism of charge transport in the forward and reverse bias has been established. Попередній перегляд: Завантажити - 180.865 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
12.	Марьянчук П. Д. Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, легированных марганцем [Електронний ресурс] / П. Д. Марьянчук, Л. Н. Дымко, Т. Р. Романишин, Т. Т. Ковалюк, В. В. Брус, М. Н. Солован, А. И. Мостовой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2014. - № 2-3. - С. 54-60. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2014_2-3_11 В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)_1–x(Al₂Te₃)_x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет полупроводниковый характер, а температурная зависимость коэффициента Холла свидетельствует о смешанном типе проводимости. Особенности магнитных свойств обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn-Тe-Mn-Тe, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется косвенное обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. На основе проведенных исследований определены зонные параметры и построена схема зонной структуры кристаллов с концентрацией атомов марганца около 1020 см^-3.В результаті досліджень магнітних, кінетичних і оптичних властивостей кристалів (3HgTe)_1–x(Al₂Te₃)_x: (x = 0,5) встановлено, що в них мають місце прямі міжзонні оптичні переходи. Температурна залежність електропровідності зразків має напівпровідниковий характер, а температурна залежність коефіцієнта Холла свідчить про змішаний тип провідності. Особливості магнітних властивостей обумовлені наявністю в кристалах кластерів типу Mn-Тe-Mn-Тe, в яких між атомами Mn через атоми халькогена здійснюється опосередкована обмінна взаємодія антиферомагнітного характеру. Визначено зонні параметри і побудовано схему зонної структури для кристалів з концентрацією атомів марганцю приблизно 1020 см^-3.This paper presents the results of the analysis of magnetic, optical, kinetic properties and band parameters of (3HgTe)1–x(Al2Te3)x crystals doped by manganese. The behavior of the magnetic susceptibility of the (3HgTe)1–x(Al2Te3)x: crystals can be explained by the presence of Mn-Oe-Mn-Oe clusters or, more precisely, by their transition from a magnetically ordered to a paramagnetic state at Curie temperature ON. The temperature dependences of electrical conductivity are typical for semiconductor materials. This is due to the increase in carrier concentration with the increase of temperature. The temperature dependence of the Hall coefficient indicates that electrons and holes participate in the transport phenomena in the studied samples (the conductivity is mixed). In (3HgTe)1–x(Al2Te3)x: crystals, the electron mobility decreases with increasing temperature, indicating the predominance of the scattering of the charge carriers on thermal vibrations of the crystal lattice. Thermoelectric power for the samples under investigation possesses negative values and increases in absolute value with the rise of temperature. The optical band gap of the samples was defined from the optical studies. We have measured current-voltage characteristics of n-O?I2/(3HgTe)1–x(Al2Te3)x: and n-TiN/(3HgTe)1–x(Al2Te3)x: heterojunctions at room temperature. The band gap, the matrix element of the interband interaction and the electron effective mass at the bottom of the conduction band were determined from the concentration dependence of the electrons effective mass at the Fermi level. Попередній перегляд: Завантажити - 463.079 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
13.	Брус В. В. Електричні властивості анізотипних гетеропереходів n-ТіО2/p-CdTe [Електронний ресурс] / В. В. Брус, М. І. Ілащук, З. Д. Ковалюк, П. Д. Мар’янчук, К. С. Ульяницький, А. М. Кафанов // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2011. - № 2(5). - С. 4-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2011_2(5)__2 Досліджено електричні властивості гетероструктур n-TiO2/p-CdTe, виготовлених напиленням тонких плівок діоксиду титану на свіжосколоті монокристалічні підкладки телуриду кадмію. Встановлено, що основну роль у протіканні струму через досліджувані гетеропереходи відіграють генераційно-рекомбінаційні процеси у збідненій області та тунелювання носіїв заряду. Попередній перегляд: Завантажити - 379.102 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
14.	Солован М. М. Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів МоOx/n-Cd1-хZnхTe [Електронний ресурс] / М. М. Солован, А. І. Мостовий, Г. П. Пархоменко, В. B. Брус, П. Д. Мар'янчук // East european journal of physics. - 2021. - No 1. - С. 34-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eejph_2021_1_7 Виготовлено гетеропереходи MoOx/n-Si шляхом нанесення тонких плівок MoOx, за допомогою методу реактивного магнетронного розпилення на підкладки кремнію. Виміряно вольтамперні характеристики (ВАХ) одержаних гетеропереходів за різних температур. Проаналізовано температурну залежність висоти потенціального бар'єру та послідовного опору гетеропереходу. Побудовано енергетичну діаграму досліджуваних гетеронереходів. Оцінено концентрацію поверхневих станів на межі розділу гетеропереходу та встановлено домінуючі механізми струмопереносу через досліджувані гетеропереходи за прямого і зворотного зміщень. Встановлено, що гетероструктура MoOx/n-Si має максимальну напругу холостого ходу Voc = 0,167 В, густину струму короткого замикання Isc = 8,56 мА/см<^>2. Проаналізовано можливості застосування одержаної гетероструктури як фотодіоду.Наведено результати досліджень оптичних та електричних властивостей напівпровідникових гетеропереходів MoOx/n-Cd1-xZnxTe виготовлених нанесенням плівок MoOx на попередньо поліровану поверхню пластин n-Cd1-xZnxTe (розміром <$E5~times~5~times~0,7> мм<^>3) в універсальній вакуумній установці Lеybold - Heraeus L560 за допомогою реактивного магнетронного розпилення мішені чистого Mo. Такі дослідження мають велике значення для подальшої розробки високоефективних приладів на основі гетеропереходів для електроніки й оптоелектроніки. Виготовлені гетеропереходи MoOx/n-Cd1-xZnxTe володіють великою висотою потенціального бар'єра (ПБ) за кімнатної температури (<$E phi sub 0~=~1,15> еВ), яка значно перевищує аналогічний параметр для гетеропереходу MoOx/n-CdTe (<$E phi sub 0~=~0,85> еВ). Експериментально визначений температурний коефіцієнт зміни висоти (ТКЗВ) ПБ становив <$E d( phi sub 0 ) "/" dT~=~-8,7~cdot~10 sup -3> еВ/K, даний параметр більший у 4 рази від ТКЗВ ПБ для гетероструктур MoOx/n-CdTe. Більше значення висоти ПБ гетеропереходу MoOx/n-Cd1-xZnxTe обумовлене формуванням електричного диполя на гетерограниці, через збільшення концентрації поверхневих станів в порівнянні з гетероструктурою MoOx/n-CdTe, а це очевидно пов'язано з наявністю атомів цинку в області просторового заряду та на металургійній межі поділу гетерограниці. В гетеропереходах MoOx/n-Cd1-xZnxTe домінуючими механізмами струмопереносу є генераційно-рекомбінаційний і тунельно-рекомбінаційний за участі поверхневих станів і тунельний при прямому зміщенні та тунелювання при зворотньому зміщенні. Встановлено, що гетеропереходи MoOx/n-Cd1-xZnxTe, які володіють такими фотоелектричними параметрами: напруга холостого ходу Voc = 0,33 В, струм короткого замикання Isc = 1,2 мА/см<^>2 і коефіцієнт заповнення FF = 0,33 за інтенсивності освітлення 80 мВт/см<^>2 є перспективними для виготовлення детекторів різного типу випромінювань. Виміряний і досліджений імпеданс гетеропереходу MoOx/n-Cd1-xZnxTe за різних зворотніх зміщень, що надало змогу визначити розподіл густини поверхневих станів і характеристичний час їх перезарядки, які зменшуються у разі зростання зворотного зміщення. Попередній перегляд: Завантажити - 1.242 Mb Зміст випуску Реферативна БД Цитування

Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів

Пам`ятка користувача

Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського